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毋庸置疑，第三代半导体最近真的很火。相关股市板块逆势而上，26只第三代半导体概念股半个月的总市值就涨了100亿元以上，股价涨幅最高者超100%。从投资来看，进入2020年以来，已有8家半导体企业共计预投资大约430多亿，第三代半导体项目在国内已处于火热阶段。 而真正的大火，来自于媒体消息，中国正在规划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中，计划在2021到2025年的五年之内，在教......

第三代半导体随着近几年的快速发展，在投资热潮过后，逐渐有相应的产品进入到大众的生活里面。简单来说，第三代半导体是指以氮化镓（gan）、碳化硅（sic）、金刚石、氧化锌（zno）为代表的宽禁带半导体材料。与我们熟悉的传统第一代、第二代半导体材料硅（si）和砷化镓（gaas）相比，第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，使其在光电器件、电力电子、射......

今天的市场需求越来越苛刻。复杂的电子设备和(辅助)系统在飞机、火车、卡车、乘用车以及建筑基础设施、制造设备、医疗系统等重要应用领域为我们服务。高可靠性(产品在期望的生命周期内满足客户环境中所有需求的能力)正变得越来越重要。大数据和人工智能正使人类更加依赖电子系统，并将使可靠性不足变得更加致命。在最近的designcon 2020上，我有机会了解了ansys是如何让工程师设计出高可靠性的产品的。 a......

最近一系列事件再次表明，制约中国芯片产业发展的主要因素已集中到制造能力。如何快速提升制造能力，推动芯片产业发展？只有不断地研发和创新。 在芯片界，摩尔定律一直占据统治地位。摩尔定律接下来是终结还是延续，已成为过去十年芯片界热议的话题。摩尔定律自1965年发明以来，一直引领着世界半导体产业向实现更低的成本、更强的性能、更高的经济效益的目标前进。然而，随着半导体技术逐渐逼近硅工艺尺寸极限，原摩尔定律导......

在电动汽车驱动控制器中，逆变器是实现能量交直流转化的关键部件，用于电机的驱动或制动时的能量回收。市场对于控制器的能量传输效率、功率密度、价格等方面的要求越来越高。而功率模块又是逆变器实现高传输效率、高功率密度的关键器件，目前电动汽车驱动逆变器绝大部分是基于传统si（硅）器件igbt（绝缘栅双极型晶体管）功率模块的设计，存在开关频率低、损耗大的缺点，制约了电动汽车驱动器功率密度的提高。 sic（碳化......

失效分析（failure analysis）是对已失效的器件进行的一种事后检查。根据需要，使用电测试以及显微形貌分析、结构分析、物理性能探测、微成分分析等一系列分析手段，确定其失效模式，找出失效机理，定义其失效原因。本文主要介绍失效分析的一些概念及失效分析的部分分析手段。 1、失效分析的作用和意义 失效分析是提高电子元器件可靠性的必要手段和途径。电子元器件可靠性工作主要包括两方面：一是评价可......

器件规格书的几页英文数据看得眼花缭乱了吧，今天小编给大家逐条详细解读mosfet参数，老板再也不会担心我选器件的能力了，yeah！ absolute maximum ratings 标识 参数 中文描述 应用系统关联参数解读 vdss drain to source voltage......

芯派科技新能源汽车动力控制研究中心在2019年订购了一台电源电驱产品测试系统—250kw电力测功机系统。该系统的购置将为半导体企业及新能源汽车模块产品测试提供完善的测试服务并助力国内新能源汽车企业发展。 电源电驱产品测试系统 250kw电力测功机系统符合并满足国家电动汽车电机驱动系统测试相关标准：gb/t 18488-2015 电动汽车驱动电机系统技术条件与试验方法、gb/t 29307-201......

coolmos在电源上的应用已经初具规模，做为电源工程师，在电源开发的过程中选用coolmos应该注意什么呢？ coolmos与vdmos的结构差异 为了克服传统mos导通电阻与击穿电压之间的矛盾，一些人在vdmos基础上提出了一种新型的理想器件结构，称为超结器件或coolmos，coolmos的结构如图2所示，其由一些列的p型和n型半导体薄层交替排列组成。在截止态时，由于p型和n型层中的耗尽区电......

2012年3月26日，测试应用中心引进国内首台最高可测试2500伏igbt、mosfet、二极管、功率三极管等动态参数的尖端测试设备—itc57300动态参数测试仪，进一步完善了测试应用中心实验室的测试能力。该设备由美国itc公司设计生产，是一款高集成度功率半导体分立器件动态参数测试仪，采用测试主机 功能测试头 个性板的测试架构，最高测试电流可以达到400a，实现不同类型、同类型不同封装、同类型同......

精确地测量电源纹波本身就是一门艺术。在图6.1所示的示例中，一名初级工程师完全错误地使用了一台示波器。他的第一个错误是使用了一支带长接地引线的示波器探针；第二个错误则是将探针形成的环路和接地引线均置于电源变压器和开关元件附近；最后一个错误是允许示波器探针和输出电容之间存在多余电感。该问题在纹波波形中表现为高频拾取。在电源中，存在大量可以很轻松地与探针耦合的高速、大信号电压和电流波形，其中包括耦合自......

高电压mosfet技术在过去几年中经历了很大变化，给电源工程师带来了不少选择。只要提供有关不同技术的使用指南，就可以帮助工程师选择合适的部件以达成其应用的效率和成本目标。了解不同mosfet部件的细微差别及不同开关电路中的应力，能够帮助工程师避免诸多问题。本文除介绍简单的导通阻抗rds(on) 以及其它mosfet相关元素之外，并会探讨更高电流密度与更快开关速度及的意义，提供使用更先进的mosfe......