一家集研发、生产和销售为一体的高新技术企业
15年专业经验 前沿技术研发新产品
芯派科技咨询热线：
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西安芯派电子科技有限公司(简称芯派科技)成立于2008年，总部位于西安市高新区环普科技产业园，在上海设有研发中心、深圳设有销售服务中心、同时还设有台湾办事处和香港进出口业务中心。是一家集研发、生产和销售为一体的高新技术企业，产品包含：中大功率场效应管(mosfet，低压至高压全系列产品)、绝缘栅双极型晶体管（igbt）、二极管(含快速恢复二极管及肖特基二极管)、桥堆以及电源管理ic等。
芯派科技的省级重点实验室西安半导体功率器件测试应用中心，是国家cnas &国际ilac认可实验室，属于国家级功率器件测试应用中心。位于陕西省西安市“十二五”重点建设项目、西北最现代的科技研发园区——环普科技产业园，占地2500平方米，共耗资8000万人民币建成，拥有国际先进的仪器设备近300台，经验丰富的专业测试人员50名。测试应用中心专注于功率器件 ...
| 检测项目 | 覆盖产品 | 检测能力 | 参考标准 |
|---|---|---|---|
| 高温反偏试验（htrb） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr，第三代半导体器件等单管器件 | 温度最高150℃； 电压最高2000v | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 高温门极试验（htgb） | mosfet、sic mos等单管器件 | 温度最高150℃； 电压最高2000v | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 高温工作寿命试验（htol） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件 | 温度最高150℃ 电压最高2000v | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 低温工作寿命试验（ltol） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件 | 温度最低-80℃ 电压最高2000v | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 高温储存试验（htsl） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度最高150℃； | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 低温储存试验（ltsl） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度最低-80℃ | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 高温高湿试验（thb） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度最高180℃ 湿度范围：10%~98% | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 高低温循环试验（tc） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度范围：-80℃~220℃ | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 间歇寿命试验（iol）功率循环试验（pc） | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等单管器件 | δtj≧100℃ 电压电流最大48v，10a | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 稳态功率试验（ssol） | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等单管器件 | δtj≧100℃ 电压电流最大48v，10a | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 高加速应力试验（hast） | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度130℃/110℃ 湿度85% | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| *无偏压的高加速应力试验（uhast） | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度130℃ 湿度85% | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 高温蒸煮试验（pct） | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度121℃ 湿度100% | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 预处理试验（pre-con） | 所有smd类型器件 | 设备满足各个等级的试验要求 | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 潮气敏感度等级试验（msl） | 所有smd类型器件 | 设备满足各个等级的试验要求 | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| *可焊性试验（solderability） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件 | 有铅、无铅均可进行 | 美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等 |
| 检测项目 | 覆盖产品 | 检测能力 | 参考标准 |
|---|---|---|---|
| 直流参数 | mosfet、igbt、diode、bjt、scr，第三代半导体器件等单管器件；igbt等模块产品； | 检测最大电压：3000v 检测最大电流：1500a | 美军标，国标，iec等 |
| 雪崩能量 | mosfet、igbt、diode，第三代半导体器件等单管器件 | 检测最大电压：2500v 检测最大电流：200a | 美军标 |
| 栅极电阻 | mosfet、igbt及第三代半导体器件 | 检测阻抗：0.1ω～50ω | jedec |
| 开关时间 | mosfet、igbt、diode及第三代半导体单管器件； | 检测最大电压：1200v 检测最大电流：200a | 美军标，国标，iec等 |
| 开关时间 | igbt等模块产品 | 检测最大电压：2700v 检测最大电流：4000a | 美军标，国标，iec等 |
| 反向恢复 | mosfet、igbt、diode及第三代半导体器件等单管器件 | 检测最大电压：1200v 检测最大电流：200a | 美军标，国标，iec等 |
| 反向恢复 | igbt等模块产品 | 检测最大电压：2700v 检测最大电流：4000a | 美军标，国标，iec等 |
| 栅极电荷 | mosfet、igbt、diode及第三代半导体器件等单管器件 | 检测最大电压：1200v 检测最大电流：200a | 美军标，国标，iec等 |
| 栅极电荷 | igbt等模块产品 | 检测最大电压：2700v 检测最大电流：4000a | 美军标，国标，iec等 |
| 短路耐量能力 | mosfet、igbt、diode及第三代半导体器件等单管器件 | 检测最大电压：1200v 检测最大电流：1000a | 美军标，国标，iec等 |
| 短路耐量能力 | igbt等模块产品 | 检测最大电压：2700v 检测最大电流：10000a | 美军标，国标，iec等 |
| 结电容 | mosfet、igbt及第三代半导体器件等单管器件 | 检测最大电压：3000v | iec |
| 参数曲线扫描 | mosfet、igbt、diode、bjt、scr，第三代半导体器件等单管器件的i-v、c-v曲线 | 检测最大电压：3000v 检测最大电流：1500a 温度：-70°c~180°c | 美军标，iec等 |
| 热阻性能 | mosfet、igbt、diode、bjt、scr，第三代半导体器件等单管产品 | 最大功率：250w | 美军标，jedec |
| 热阻性能 | igbt等模块产品 | 最大功率：4000w | 美军标，jedec |
| esd能力 | mosfet、igbt、ic等产品 | hbm最大电压：8000v；mm最大电压：800v | 美军标，ansi，jedec等 |
| *正向浪涌能力 | diode（si/sic）、整流桥 | 检测最大电流：800a | 美军标，国标 |
| 检测项目 | 覆盖产品 | 检测能力 | 参考标准 |
|---|---|---|---|
| 电气参数 | 开关电源(例如低压ac/dc电源，低压dc/dc电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板。 | 低压ac/dc电源：单相最大输入电压/功率为300v/3kva;最大输出电压/功率：80v/1000w； 低压dc/dc电源：最大输入电压/功率为80v/1.2kw;最大输出电压/功率：80v/1000w； 直流充电桩电源模块：三相最大输入电压/功率为500v/30kva;最大输出电压/功率：700v/30kw； 电机控制板：直流输入电压/功率100v/5kw | 国标，iec，客户要求等 |
| *保护功能测试 | 开关电源(例如低压ac/dc电源，低压dc/dc电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板。 | 低压ac/dc电源：单相最大输入电压/功率为300v/3kva;最大输出电压/功率：80v/1000w； 低压dc/dc电源：最大输入电压/功率为80v/1.2kw;最大输出电压/功率：80v/1000w； 直流充电桩电源模块：三相最大输入电压/功率为500v/30kva;最大输出电压/功率：700v/30kw； 电机控制板：直流输入电压/功率100v/5kw | 国标，iec，客户要求等 |
| *元器件应力测试 | 开关电源(例如低压ac/dc电源，低压dc/dc电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板、锂电保护板。 | 最大峰值电压：1.5kv; 最大有效值/峰值电流：30a/50a; 最高温度：260°c | 元器件规格，客户要求等 |
| 电气/抗电强度测试 | 电子电气产品 | 交流耐压范围：(0~5)kv/40ma； 直流耐压范围：(0~6)kv/9999ua | 国标，iec，客户要求等 |
| 绝缘电阻测试 | 电子电气产品 | (100~1k)vdc/9999mω | 国标，iec，客户要求等 |
| 接地电阻测试 | 电子电气产品 | 30a/600mω | 国标，iec，客户要求等 |
| *低温测试 | 电子电气产品 | 最低温度：-70℃ | 国标，iec，客户要求等 |
| *高温测试 | 电子电气产品 | 最高温度：~180℃ | 国标，iec，客户要求等 |
| *高加速寿命/应力测试 | 电子电气产品 | 温度范围：（-100 ～ 200）°c； 温度上升速率：平均（70°～100°）c/m； 加速: （5 – 60）grms (空台) | 国标，iec，客户要求等 |
| *静电放电抗扰度测试 | 电子电气产品 | 接触静电放电电压范围：(±2～±8)kv 空气静电放电电压范围：(±2～±25)kv | 国标，iec，客户要求等 |
| 雷击浪涌抗扰度测试 | 电子电气产品 | 1.2/50us综合波的开路电压范围：(0.25～10)kv； 10/700us通讯波的开路电压范围：(0～6)kv； 输出阻抗：1.2/50us综合波2ω、12ω和500ω；10/700us通讯波15ω和40ω | 国标，iec，客户要求等 |
| 电源端子骚扰电压/传导测试 | 电子电气产品 | 9khz～30mhz | 国标，iec，客户要求等 |
| 检测项目 | 覆盖产品 | 检测能力 | 参考标准 |
|---|---|---|---|
| *产品外观或形貌确认 | ic，分立器件，模块等产品 | 立体成像：最大45倍； 金相成像：最大1000倍 | 客户要求 |
| *尺寸测量 | ic，分立器件，模块等产品 | 立体成像：最大45倍； 金相成像：最大1000倍 | 客户要求 |
| 超声波检测（sat） | ic，分立器件，模块等产品 | 具有分层面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行a-scan（点扫描）、b-scan（纵向扫描）、c-scan（横向扫描）、through-scan(透射扫描)。 | 国军标 |
| x-ray检测 | ic，分立器件，模块等产品 | 最高分辨率0.5um。具有空洞面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行二维扫描、三维ct扫描。 | 国军标 |
| 推拉力检测 | ic，分立器件，模块等产品 | 支持wp100和wp2.5kg二款拉力测试头，测试范围0-2500g；支持bs250、bs5kg和ds100kg三款推力测试头，测试范围0-5000g，推刀接受面宽0-8891um。 | 国军标 |
| *有害物质检测 | ic，分立器件，模块等产品 | 支持铅(pb)、镉(cd)、汞(hg)、六价铬(cr6 )、多溴联苯(pbb)和多溴二苯醚(pbde)，以及卤素等其他化学元素的检测。主要元素pb/cd/hg/cr/br最低检测限可达2ppm。 | iec |
| *样品开封 | ic，分立器件，模块等产品 | 化学开封、样品剥层。 | 客户要求 |
| *剖面分析 | ic，分立器件，模块等产品 | 金相样品制备、样品观察、样品染色。 | 客户要求 |
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