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igbt(insulated gate bipolar transistor)是能源变换与传输的核心半导体器件，属于国家战略性新兴产业，因其同时具有mosfet的高输入阻抗、低驱动功率和gtr的低导通压降的优点，被广泛应用于直流电压600v及以上的大功率电力电子系统中，如变频器、开关电源、照明系统、轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车以及新能源装备等领域。

igbt驱动模块作为igbt稳定工作的核心驱动管理器件，在整个系统工作中有极其重要的意义，目前国际上比较著名的igbt驱动模块企业有mitsubishi、concept（pi）等企业，近日西安宽禁带半导体应用研究中心成功研发了混合集成型大功率igbt驱动模块sw57962，可完美兼容mitsubishi的m57962，满足600v、1200v、1700v等大功率单管igbt驱动需求，最大可驱动600a的igbt单管。 

sw57962内部采用高隔离电压、高共模抑制比的光电隔离器，耐压可达3750v。同时sw57962兼容ttl电平和cmos信号两种输入，最高工作频率为40khz，同时具备过流保护、故障输出、盲区可调、过流软关断、固定周期复位等完善的保护功能。

sw57962的尺寸为50mm*25mm，采用sip的管脚封装形式，共有脚位14个，其中11，12管脚为空置状态，各pin脚之间的距离为2.54mm，各pin脚功能定义如下：

从sw57962的内部原理功能框图可以看出sw57962主要功能块由四部分组成，分别是光耦隔离电路、过流检测电路、门极关断电路、延迟复位电路等单元组成。光耦隔离电路主要用于驱动信号的电气隔离及信号传输的作用；过流检测电路用于igbt过流信号的检测，具体阈值可进行外部调节；门级关断电路主要作用为异常条件下对igbt驱动进行关断，同时将该异常信号输出反馈至控制级；延迟复位电路主要用于故障信号去除后进行延迟复位，使得驱动信号恢复正常，达到软开启的效果。

下图为sw57962的典型应用图，其中u1为故障信号传输隔离光耦，vin为驱动信号输入端口。在实际使用中可根据实际需求调整外部参数及电路，从而达到与系统最优的匹配效果。

sw57962作为“西安宽禁带半导体应用研究中心”研发的第一款外置驱动电源的igbt驱动器产品，其保护功能完善、可靠性高、驱动能力强，可完全兼容三菱的m57962，客户可直接更换进行验证使用。西安宽禁带半导体应用研究中心还有多款igbt驱动器及igbt模组驱动器产品正在研发中，后期可提供外置电源的大功率igbt驱动器、内置电源的大功率igbt驱动器、igbt模组驱动器等系列化的igbt驱动器产品，满足客户各种使用场景的需求。