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absolute maximum ratings 标识 参数 中文描述 应用系统 关联参数解读 vdss drain to source voltage 漏源电压标称值 参考bvdss ......

我当然不是说规格书在挖坑， 规格书的数据都是用仪器一个个测出来的， 那是刚正不阿的存在! 规格书的数据测试是遵循特定的标准的，之所以遵循这些标准来测试，是因为作为一个规格书，必须规定一个测试标准，让不同的人在不同的时候测出的数据是一样的。而电源的设计对mos的要求是五花八门的，所以在参看mosfet的规格书的时候，你要“透过现象看本质”，找到你要的数据。 ......

图4 igtb导通时的电荷分布 当下 igbt芯片制作工艺及其外围封装技术都在不断更新，以期进一步提升功率密度，降低器件自身损耗；相信随着社会的发展、技术的进步，作为全控型器件代表的igbt一定会迎来更加广阔的应用市场。......

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