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三星电子率先量产40纳米ddr3 dram

时间：2019/10/22 13:44:51浏览次数：149

7月21日三星电子宣布已经开始量产40纳米2gb ddr3 dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。

据悉，继2008年9月三星电子在业内首次量产50纳米ddr3 dram之后，该公司又于2009年1月首次开发出40纳米2gb ddr3 dram并于本月首次投入量产。三星电子通过不断简化生产工艺缩短生产时间，极大地提高了生产效率和成本竞争力。

三星电子表示，新一代量产的40纳米产品拥有更高的科技水平和环保型云顶集团3118acm登录入口的解决方案从而将获得比50纳米产品更高的市场评价。同时为了进一步扩展ddr3内存的市场，三星电子今后将针对区域服务器（16g或8g内存）、小型服务器及个人台式机（4g内存）、笔记本电脑（4g内存）等提供更高效的内存产品。

半导体市场调查机构i supply提供的数据表明ddr3产品将从目前占整体dram市场的20%增长到2012年的82%。2g ddr3产品将从目前占整体ddr3市场的5%发展到2012年82%。而作为以生产dram产品著称的全球第二大半导体厂商，三星电子正是依靠在业内不断率先开发新一代更高容量和性能的dram产品，确保了其在内存市场的主导地位。

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